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NDS0610图片预览
型号: NDS0610
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 13 页 / 553 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= -10 µA
V
DS
= -48 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1毫安
T
J
= 125°C
V
GS
= -10 V,I
D
= -0.5 A
T
J
= 125°C
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -0.25 A
T
J
= 125°C
-60
-1
-200
10
-10
V
µA
µA
nA
nA
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压
-1
-0.6
-2.4
-2.1
3.6
5.9
5.2
7.9
-3.5
-3.2
10
16
20
30
V
静态漏源导通电阻
I
D(上)
g
FS
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= -10 V, V
DS
= -10 V
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -10 V
V
DS
= -10 V,I
D
= -0.1 A
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-0.6
70
-1.6
-0.35
170
40
11
3.2
60
25
5
A
mS
pF
pF
pF
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
开关特性
(注1 )
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
最大连续电流源
最大脉冲电流源
(注1 )
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
DD
= -25 V,I
D
= -0.18 A,
V
GS
= -10 V ,R
= 25
7
5
13
10
10
15
15
20
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
= -48 V,
I
D
= -0.5 A,V
GS
= -10 V
1.43
0.6
0.25
-0.18
-1
漏源二极管的特性
A
A
V
ns
A
V
GS
= 0 V,I
S
= -0.5 A
(注1 )
-1.2
T
J
= 125°C
-0.98
40
2.8
-1.5
-1.3
t
rr
I
rr
V
GS
= 0 V,I
S
= -0.5 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
注意:
1.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µ
S,占空比< 2.0 % 。
NDS0610.SAM