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    IRF640A 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640A图片预览
    型号： IRF640A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 先进的功率MOSFET [Advanced Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 262 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第7页  
    IRF640A
    BV
    DSS
    （归一化）
    漏源击穿电压
    N沟道
    功率MOSFET
    图8.导通电阻与温度的关系
    R
    DS （ ON）
    （归一化）
    漏源导通电阻
    3.0
    图7.击穿电压与温度的关系
    1.2
    2.5
    1.1
    2.0
    1.0
    1.5
    1.0
    @注意事项：
    1. V = 10 V
    GS
    2. I = 9.0
    D
    0.9
    @注意事项：
    1. V = 0 V
    GS
    2. I = 250
    µ
    A
    D
    0.5
    0.8
    -75
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    125
    150
    175
    0.0
    -75
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    125
    150
    175
    T
    J
    ，结温[C]
    T
    J
    ，结温[C]
    图9.最大。安全工作区
    [A]
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    100
    µ
    s
    1毫秒
    1
    10
    图10.最大。漏电流与外壳温度
    20
    I
    D
    ，漏电流
    I
    D
    ，漏电流
    2
    10
    [A]
    15
    10毫秒
    10
    5
    10
    2
    0
    25
    DC
    0
    10
    @注意事项：
    1. T = 25
    o
    C
    C
    2. T = 150
    o
    C
    J
    3.单脉冲
    10
    -1
    0
    10
    1
    10
    50
    75
    100
    125
    150
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    T
    c
    ，外壳温度[
    o
    C]
    图11.热响应
    热响应
    10
    0
    D=0.5
    0.2
    10
    - 1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    10
    - 2
    10
    - 5
    10
    - 4
    10
    - 3
    10
    - 2
    @注意事项：
    1. Z
    θ
    J·C
    (t)=0.9
    o
    C / W最大。
    (t)
    2.占空比， D = T / T
    2
    1
    3. T
    J·M
    -T
    C
    =P
    D M
    *Z
    θ
    JC
    Z
    JC
    (t) ,
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    10
    - 1
    10
    0
    10
    1
    θ
    t
    1
    ，方波脉冲持续时间
    [秒]

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