IRF640A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640A
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内容描述：	先进的功率MOSFET [Advanced Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	7 页 / 262 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

先进的功率MOSFET

特点

雪崩坚固的技术

坚固的门栅氧化层技术

较低的输入电容

改进的栅极电荷

扩展安全工作区

低漏电流： 10

A（最大） @ V

= 200V

低ř

DS （ ON）

: 0.144

Ω

（典型值）。

IRF640A

DSS

= 200 V

DS （ ON）

= 0.18

Ω

= 18 A

TO-220

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

, T

英镑

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

=25 C)

连续漏电流（T

=100

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

=25

C )

线性降额因子

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

价值

200

11.4

单位

V / ns的

+ 30

216

13.9

5.0

139

1.11

- 55 〜+ 150

300

热阻

符号

特征

结到外壳

外壳到散热器

结到环境

典型值。

0.5

马克斯。

0.9

62.5

单位

C / W

版本B

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