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    IRF640A 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640A图片预览
    型号： IRF640A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 先进的功率MOSFET [Advanced Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 262 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF640A的Datasheet PDF文件第7页  
    N沟道
    功率MOSFET
    看图1，输出特性
    V
    GS
    IRF640A
    如图2传输特性
    [A]
    I
    D
    ，漏电流
    10
    1
    I
    D
    ，漏电流
    [A]
    上图：
    10
    1
    15V
    10 V
    8.0 V
    7.0 V
    6.0 V
    5.5 V
    5.0 V
    底部： 4.5 V
    150
    o
    C
    10
    0
    25
    o
    C
    @注意事项：
    1. V = 0 V
    GS
    2. V = 40 V
    DS
    - 55
    o
    C
    3. 250
    µ
    s脉冲测试
    6
    8
    10
    10
    0
    10
    -1
    10
    -1
    @注意事项：
    1. 250
    µ
    s脉冲测试
    2. T = 25
    o
    C
    C
    10
    0
    10
    1
    10
    -1
    2
    4
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    [A]
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    图3.导通电阻与漏电流
    R
    DS （ ON）
    , [ ]
    Ω
    漏源导通电阻
    04
    .
    图4.源极 - 漏极二极管正向电压
    03
    .
    V
    GS
    = 10 V
    I
    DR
    ，反向漏电流
    1
    1
    0
    02
    .
    1
    0
    0
    @Nts ：
    oe
    1 V
    GS
    = 0 V
    .
    2
    o
    C
    5
    1
    -1
    0
    02
    .
    04
    .
    06
    .
    08
    .
    10
    .
    12
    .
    2 2 0
    µ
    S·P升（E T） s
    . 5
    美国东部
    14
    .
    16
    .
    18
    .
    20
    .
    01
    .
    V
    GS
    = 20 V
    @ N吨：T已
    J
    = 2
    o
    C
    oe
    5
    00
    .
    0
    20
    40
    60
    8
    0
    10 C
    5
    o
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    SD
    ，源极 - 漏极电压[ V]
    图5.电容与漏源电压
    20
    00
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C ( C
    ds
    = S 0吨四）
    HRE
    gd
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    图6.栅极电荷与栅源电压
    [V]
    V
    DS
    = 4 V
    0
    0
    V
    DS
    = 1 0 V
    V
    DS
    = 1 0 V
    6
    [ pF的]
    10
    50
    C
    国际空间站
    10
    00
    C
    OSS
    50
    0
    @Nts ：
    oe
    1 V
    GS
    = 0 V
    .
    2 F = 1MZ
    .
    H
    C
    RSS
    V
    GS
    ，栅源电压
    C
    RSS
    = C
    gd
    1
    0
    电容
    5
    @ N吨S：我
    D
    = 1 . A
    oe
    80
    0
    0
    1
    0
    2
    0
    3
    0
    4
    0
    5
    0
    0
    0
    1
    0
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    Q
    G
    ，总栅极电荷[ NC ]

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