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FDS8978_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS8978_11
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内容描述: N沟道MOSFET PowerTrench® [N-Channel PowerTrench® MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 704 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8978双N沟道PowerTrench
®
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
8
7
I
D
,
漏电流( A)
功耗乘法器
6
5
4
3
2
1
0
25
R
θ
JA
= 78℃ / W
o
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
,环境温度(
o
C)
50
75
100
125
o
150
T
A
,
环境温度
(
C
)
图1.归功耗与
环境温度
2
图2.最大连续漏极电流VS
环境温度
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比,降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 135℃ / W
o
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
P
( PK)
,瞬态峰值功率( W)
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135℃ / W
o
100
T
A
= 25 C
o
10
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T,脉冲宽度( S)
图4.单脉冲最大功率耗散
© 2011仙童半导体公司
FDS8978牧师B1
3
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