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FDS8978_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS8978_11
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内容描述: N沟道MOSFET PowerTrench® [N-Channel PowerTrench® MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 704 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8978双N沟道PowerTrench
®
MOSFET
2011年1月
FDS8978
N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
30V , 7.5A , 18MΩ
特点
r
DS ( ON)
= 18MΩ ,V
GS
= 10V ,我
D
= 7.5A
r
DS ( ON)
= 21mΩ ,V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6.9A
高性能沟道技术极低
r
DS ( ON)
低栅电荷
高功率和电流处理能力
100 %通过Rg测试
符合RoHS
D2
D1
D1
SO-8
S2
销1
S1
G1
D2
D2
D2
G2
D1
D1
5
6
7
8
Q1
Q2
4
3
2
1
G2
S2
G1
S1
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷,低
r
DS ( ON)
和快速的开关速度。
应用
DC / DC转换器
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续(T
A
= 25
o
C,V
GS
= 10V ,R
θJA
= 50
o
C / W )
连续(T
A
=
脉冲
单脉冲雪崩能量(注1 )
功耗
减免上述25
o
C
参数
评级
30
±20
7.5
6.9
49
57
1.6
13
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
毫瓦/
o
C
o
C
25
o
C,
V
GS
= 4.5V ,R
θJA
=
50
o
C / W )
工作和存储温度
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻,结到外壳(注2 )
热阻,结到环境(注2A )
热阻,结到环境(注2C )
40
78
135
o
o
C / W
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8978
设备
FDS8978
SO-8
1
带尺寸
330mm
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
www.fairchildsemi.com
© 2011仙童半导体公司
FDS8978牧师B1