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FDS8978_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS8978_11
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内容描述: N沟道MOSFET PowerTrench® [N-Channel PowerTrench® MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 704 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8978双N沟道PowerTrench
®
MOSFET
热敏电阻与贴装焊盘面积
最大额定结温度T
JM
的散热路径​​的热阻确定
所允许的最大功率耗散,磷
DM
在一个
应用程序。
因此,应用程序的环境
温度T
A
(
o
C)和热阻R
θJA
(
o
C / W )
必须进行审查,以确保那件T
JM
永远不会超标。
式(1)数学上表示的关系,并
作为基础建立的部分的等级。
(
T
T
)
JM
A
P DM
= ------------------------------
-
R
θJA
热阻抗曲线。
对应于其他地区铜热电阻
可以从图21或通过计算来获得使用
式(2)的面积,以平方英寸为顶部铜
面积包括在栅极和源极焊盘。
R
θJA
=
64
+
-------------------------------
26
0.23 +
区域
(当量2)
(当量1)
在采用表面安装设备,如SO8封装,
在其所应用的环境将有一个显著
在上部分的电流和最大功率佛罗里达州uence
耗散额定值。精确测定的P
DM
是复杂的
并且受很多因素:
到其上的装置安装1.安装垫区和
是否存在铜在一侧或两侧
板。
2.铜层的数目和厚度
板。
3.使用外部散热器。
4.使用热过孔。
5.空气溢流和电路板的方向。
6.对于非稳定状态下的应用中,脉冲宽度,则
占空比和该部分的瞬态热响应,
董事会和他们所处的环境。
飞兆半导体提供热量信息,以协助设计 -
呃的初步应用评价。图21定义了
R
θJA
该装置的顶部铜的函数(康波
新界东北面)的区域。这是一个水平放置的FR-4
板盎司镀铜千秒稳定状态后,
功率,无空气流。该曲线图提供了必要的IN-
形成的稳态结算temper-
ATURE或功耗。脉冲应用可
利用飞兆半导体器件辣妹热模型或评价
利用手动归最大瞬态
150
120
90
60
30
0
10
-1
10
0
铜电路板面积 - 降序排列
在0.04
2
在0.28
2
在0.52
2
在0.76
2
在1.00
2
瞬态热阻抗(Z
θJA
)还受
多样的顶部铜电路板面积。图22示出的效果
在单脉冲瞬态热阻抗的铜焊盘面积
ANCE 。每个跟踪代表的铜焊盘面积平方米
寸相对应的下行列表中的曲线图。
提供了用于每一种香料和SABER热模型
上市垫领域。
铜层的面积有短暂没有明显的效果
脉冲热阻抗宽度小于100ms 。为
脉冲宽度小于100ms的瞬态热
阻抗由管芯和包确定。
因此, CTHERM1通过CTHERM5和RTHERM1
通过RTHERM5保持恒定为每个热的
模型。该模型组件值的列表,请
在表1中。
200
R
θJA
= 64 + 26 / ( 0.23 +区)
R
θJA
(
o
C / W )
150
100
50
0.001
0.01
0.1
1
AREA , TOP铜面积(以
2
)
10
图21.热电阻与安装
垫区
Z
θJA
,热
阻抗(
o
C / W )
10
1
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
2
10
3
图22.热阻抗VS贴装焊盘区
© 2011仙童半导体公司
FDS8978牧师B1
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