FDS8880 参数 Datasheet PDF下载

FDS8880的N-沟道PowerTrench

®

MOSFET

PSPICE模型电气

.SUBCKT FDS8880 2 1 3 ;

CA 12 8 9.3E - 10

CB 15 14 9.3E - 10

CIN 6 8 1.15e - 9

DBODY 7 5 DBODYMOD

DBREAK 5月11日DBREAKMOD

DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD

10

2004年八月REV

LDRAIN

DPLCAP

5

RLDRAIN

DBREAK

11

+

17

EBREAK 18

-

MWEAK

MMED

MSTRO

CIN

LSOURCE

8

RSOURCE

RLSOURCE

S1A

12

S1B

13

8

13

+

EGS

-

6

8

EDS

-

S2A

14

13

S2B

CB

+

5

8

8

RVTHRES

14

IT

15

17

RBREAK

18

RVTEMP

19

-

VBAT

+

22

7

来源

3

漏

2

RSLC1

51

ESLC

50

RDRAIN

EVTHRES

+ 19 -

8

6

21

16

RSLC2

5

51

-

ESG

+

6

8

-

LGATE

门

1

RLGATE

EVTEMP

RGATE + 18 -

22

9

20

CA

IT 8 17 1

LGATE 1 9 3.6e - 9

LDRAIN 2 5 1.0E- 9

Lsource 3 7 1.2E - 10

RLGATE 1 9 36

RLDRAIN 2 5 10

RLsource 3 7 1.2

MMED 16 6 8 8 MMEDMOD

MSTRO 16 6 8 8 MSTROMOD

MWEAK 16 21 8 8 MWEAKMOD

RBREAK 17 18 RBREAKMOD 1

Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.9e - 3

RGATE 9 20 2.5

RSLC1 5 51 RSLCMOD 1E- 6

RSLC2 5 50 1E3

RSOURCE 8 7 RsourceMOD 5.4E - 3

RVTHRES 22 8 RVTHRESMOD 1

RVTEMP 18 19 RVTEMPMOD 1

S1A 6 12 13 8 S1AMOD

S1B 13 12 13 8 S1BMOD

S2A 6 15 14 13 S2AMOD

S2B 13 15 14 13 S2BMOD

VBAT 22 19 DC 1

ESLC 51 50值= { （V （ 5,51 ） / ABS （Ⅴ （ 5,51 ） ））* （PWR （Ⅴ （ 5,51 ）/（为1e- 6 * 170 ），5） ）}

.MODEL DbodyMOD D（ IS = 2.6E - 12 IKF = 10 N = 1.01 RS = 5.6e - 3 TRS1 = 8E - 4 TRS2 = 2E- 7

+ CJO = 5E - 10 ，M = 0.55 TT = 1E- 11 XTI = 2 ）

.MODEL DbreakMOD D（ RS = 0.2 TRS1 = 1E - 3 TRS2 = -8.9e - 6 ）

.MODEL DplcapMOD D（ CJO = 4.27e -10 = 1E - 30 ，N = 10 ，M = 0.38 ）

.MODEL MmedMOD的NMOS （ VTO = 1.8 KP = 5 IS =为1e- 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W =的1U RG = 2.5）

.MODEL MstroMOD NMOS （ VTO = 2.21 KP = 150 = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U）

.MODEL MweakMOD NMOS （ VTO = 1.53 KP = 0.05 IS = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U RG = 25 RS = 0.1 ）

.MODEL RbreakMOD RES （ TC1 = 8.3E - 4 TC2 = -8e - 7 ）

.MODEL RdrainMOD RES （ TC1 = 5.5E - 3 TC2 = 1.2E - 5 ）

.MODEL RSLCMOD RES （ TC1 = 1E - 4 TC2 = 1E - 6 ）

.MODEL RsourceMOD RES （ TC1 = 1E - 3 TC2 = 3E - 6 ）

.MODEL RvthresMOD RES （ TC1 = -1.5e - 3 TC2 = -6e - 6 ）

.MODEL RvtempMOD RES （ TC1 = -1.8e - 3 TC2 = 2E - 7 ）

.MODEL S1AMOD VSWITCH （ RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = -4 VOFF = -3.5 ）

.MODEL S1BMOD VSWITCH （ RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = -3.5 VOFF = -4 ）

.MODEL S2AMOD VSWITCH （ RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = -1.5 VOFF = -1.0）

.MODEL S2BMOD VSWITCH （ RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = -1.0 VOFF = -1.5 ）

.ENDS

注：对于PSPICE模型的进一步讨论，请参阅

一种新的PSPICE子电路的功率MOSFET拥有全球

温度选项;

IEEE电力电子专家会议记录， 1991年，写的威廉· J·赫普和弗兰克C.

惠特利。

9

牧师FDS8880 A1

+

EBREAK 11 7 17 18 33.5

EDS 14 8 5 8 1

EGS 13 8 6 8 1

ESG 6 10 6 8 1

EVTHRES 6 21 19 8 1

EVTEMP 20 6 18 22 1

DBODY

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