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    FDS8880 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8880图片预览
    型号： FDS8880
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道PowerTrench MOSFET的 [N-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 260 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第9页  
    FDS8880的N-沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    100
    如果R = 0
    t
    AV
    = （L）（我
    AS
    ） / （ 1.3 *额定BV
    DSS
    - V
    DD
    )
    若R
    ≠
    0
    t
    AV
    = （ L / R） LN [（我
    AS
    * R ） / （ 1.3 *额定BV
    DSS
    - V
    DD
    ) +1]
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    50
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    DD
    = 15V
    T
    J
    = 25
    o
    C
    30
    I
    AS
    ，雪崩电流（ A）
    40
    10
    起始物为
    J
    = 25
    o
    C
    20
    T
    J
    = 150
    o
    C
    10
    T
    J
    = -55
    o
    C
    起始物为
    J
    = 150
    o
    C
    1
    0.01
    0.1
    1
    10
    t
    AV
    ，一次雪崩（毫秒）
    100
    0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
    图5.松开电感式开关
    能力
    50
    V
    GS
    = 10V
    40
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    GS
    = 5V
    V
    GS
    = 3V
    30
    V
    GS
    = 4V
    r
    DS （ ON）
    ，漏极到源极
    ON电阻（mΩ ）
    40
    50
    图6.传热特性
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    I
    D
    = 11.6A
    30
    20
    20
    10
    T
    A
    = 25
    o
    C
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    10
    I
    D
    = 1A
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图7.饱和特性
    图8.漏极至源极导通电阻VS门
    电压和漏极电流
    1.2
    1.6
    归一漏极至源极
    抗性
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    1.4
    归一化门
    阈值电压
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 250µA
    1.0
    1.2
    1.0
    0.8
    0.8
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 11.6A
    0.6
    -80
    -40
    0
    40
    80
    (
    o
    C)
    120
    160
    0.6
    -80
    -40
    0
    40
    80
    (
    o
    C)
    120
    160
    T
    J
    ，结温
    T
    J
    ，结温
    图9.归一漏极至源极ON
    电阻与结温
    5
    牧师FDS8880 A1
    图10.归一化栅极阈值电压Vs
    结温
    www.fairchildsemi.com

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