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    FDS8880 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8880图片预览
    型号： FDS8880
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道PowerTrench MOSFET的 [N-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 260 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第10页  
    FDS8880的N-沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    1.10
    归一漏极至源极
    击穿电压
    I
    D
    = 250µA
    1.05
    1000
    C，电容（pF ）
    C
    OSS
    ≅
    C
    DS
    + C
    GD
    2000
    C
    国际空间站
    =
    C
    GS
    + C
    GD
    1.00
    C
    RSS
    =
    C
    GD
    0.95
    V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    0.90
    -80
    -40
    0
    40
    80
    120
    160
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    100
    0.1
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    30
    图11.归漏极至源极
    击穿电压VS结温
    10
    V
    DD
    = 15V
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    8
    图12.电容VS漏极至源极
    电压
    6
    4
    2
    任意波形
    降序排列：
    I
    D
    = 11.6A
    I
    D
    = 1A
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    0
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    图13.栅极电荷波形恒定电流门
    6
    牧师FDS8880 A1
    www.fairchildsemi.com

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