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FDS8880 参数 Datasheet PDF下载

FDS8880图片预览
型号: FDS8880
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内容描述: N沟道MOSFET的PowerTrench [N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 623 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8880的N-沟道PowerTrench
®
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
1.10
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250µA
1.05
1000
C,电容(pF )
C
OSS
C
DS
+ C
GD
2000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
1.00
C
RSS
=
C
GD
0.95
0.90
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
,结温(
o
C)
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
100
0.1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
30
图11.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
,门源电压( V)
图12.电容VS漏极至源极
电压
100
V
DD
= 15V
100us
I
D
,漏电流( A)
8
10
1ms
6
1
4
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
2
任意波形
降序排列:
I
D
= 11.6A
I
D
= 1A
0
5
10
15
20
25
0
Q
g
,栅极电荷( NC)
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
图13.门充电波形恒
门电流
图14.正向偏置安全工作区
©2007仙童半导体公司
FDS8880版本B
6
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