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    FDS8880 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8880图片预览
    型号： FDS8880
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET的PowerTrench [N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 623 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第9页  
    FDS8880的N-沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    MOSFET的最大额定值
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    DSS
    V
    GS
    I
    D
    E
    AS
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    连续（T
    A
    = 25
    o
    C，V
    GS
    = 10V ，R
    θJA
    = 50
    o
    C / W ）
    连续（T
    A
    = 25℃ ，V
    GS
    = 4.5V ，R
    θJA
    = 50℃ / W）
    脉冲
    单脉冲雪崩能量（注1 ）
    功耗
    减免上述25℃
    工作和存储温度
    o
    o
    o
    参数
    评级
    30
    ±20
    11.6
    10.7
    83
    82
    2.5
    20
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    W
    毫瓦/
    o
    C
    o
    C
    热特性
    R
    θJC
    R
    θJA
    R
    θJA
    热阻，结到外壳（注2 ）
    热阻，结到环境（注2A ）
    热阻，结到环境（注2B ）
    25
    50
    125
    o
    C / W
    o
    C / W
    o
    C / W
    包装标志和订购信息
    器件标识
    FDS8880
    设备
    FDS8880
    包
    SO-8
    带尺寸
    330mm
    胶带宽度
    12mm
    QUANTITY
    2500台
    电气特性
    T
    J
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    参数
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    开关特性
    B
    VDSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 24V
    V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = ±20V
    T
    J
    =
    150
    o
    C
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    250
    ±100
    V
    µA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    门源阈值电压
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 250µA
    I
    D
    = 11.6A ，V
    GS
    = 10V
    漏极至源极导通电阻
    I
    D
    = 10.7A ，V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    = 11.6A ，V
    GS
    = 10V,
    T
    J
    = 150
    o
    C
    1.2
    -
    -
    -
    -
    7.9
    9.6
    12.5
    2.5
    10.0
    12.0
    16.3
    mΩ
    V
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    G
    Q
    G（ TOT ）
    Q
    g(5)
    Q
    G（ TH ）
    Q
    gs
    Q
    gs2
    Q
    gd
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    栅极电阻
    总栅极电荷，在10V
    总栅极电荷为5V
    阈值的栅极电荷
    门源栅极电荷
    栅极电荷阈值，以高原
    栅漏“米勒”充电
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = 0V,
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0.5V ， F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0V至10V
    V
    GS
    = 0V至5V
    V
    GS
    = 0V至1V
    V
    DD
    = 15V
    I
    D
    = 11.6A
    I
    g
    = 1.0毫安
    -
    -
    -
    0.6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1235
    260
    150
    2.5
    23
    12
    1.3
    3.3
    2.0
    4.2
    -
    -
    -
    4.3
    30
    16
    1.6
    -
    -
    -
    pF
    pF
    pF
    Ω
    nC
    nC
    nC
    nC
    nC
    nC
    ©2007仙童半导体公司
    FDS8880版本B
    2
    www.fairchildsemi.com

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