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    FDS8880 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8880图片预览
    型号： FDS8880
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET的PowerTrench [N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 623 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8880的Datasheet PDF文件第9页  
    FDS8880的N-沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征
    T
    J
    = 25 ° C除非另有说明
    1.2
    1.0
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    0.8
    12
    10
    V
    GS
    = 10V
    8
    6
    4
    2
    R
    θJA
    =50
    o
    C / W
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    A
    ，环境温度（
    o
    C)
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    A
    ，环境温度（
    o
    C)
    V
    GS
    = 4.5V
    功耗乘法器
    0.6
    0.4
    0.2
    图1.归功耗与
    环境温度
    2
    1
    归热
    阻抗Z
    θ
    JA
    图2.最大连续漏极电流VS
    环境温度
    占空比，降序排列
    0.1
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    P
    DM
    0.01
    t
    1
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    o
    t
    2
    注意事项：
    DUTY因子：D = T
    1
    /t
    2
    PEAK牛逼
    J
    = P
    DM
    X Z
    θJA
    个R
    θJA
    + T
    A
    0.001
    0.0005
    -4
    10
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    吨，矩形脉冲持续时间（ S）
    图3.归一化最大瞬态热阻抗
    2000
    1000
    P
    （ PK）
    ，瞬态峰值功率（ W）
    V
    GS
    = 10V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    o
    100
    T
    A
    = 25 C
    o
    10
    1
    0.5
    -4
    10
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    T，脉冲宽度（ S）
    图4.单脉冲最大功率耗散
    ©2007仙童半导体公司
    FDS8880版本B
    4
    www.fairchildsemi.com

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