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FDS6612A 参数 Datasheet PDF下载

FDS6612A图片预览
型号: FDS6612A
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内容描述: 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 248 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型的电气和热特性
10
V
GS
,栅源电压(V )
2000
I
D
= 8.4A
8
V
DS
= 5V
10V
电容(pF)
15V
1000
ç国际空间站
6
500
4
200
ç OSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
0.4
1
2
5
10
2
100
ç RSS
30
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
,栅极电荷( NC)
50
0.1
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
80
30
I
D
,漏电流( A)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
IT
LIM
N)
S(O
RD
50
100
us
1m
s
10m
s
100
ms
1s
10s
DC
功率(W)的
40
单脉冲
R
θ
JA
=125°C/W
T
A
= 25°C
30
20
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
=125°C/W
T
A
= 25°C
0.2
0.5
1
2
10
5
10
20 30
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 125°C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6612A Rev.C1