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型号: FDS6612A
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内容描述: 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 248 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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1998年7月
FDS6612A
单N沟道逻辑电平的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET产生
利用飞兆半导体先进的PowerTrench
已特别针对减少流程
的导通状态电阻,但保持优异
开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和
快速切换是必需的。
特点
8.4 A, 30 V
R
DS ( ON)
= 0.022
@ V
GS
= 10 V,
R
DS ( ON)
= 0.030
@ V
GS
= 4.5 V.
快速开关速度。
低栅极电荷。
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
D
D
5
4
3
2
1
S
˚F ð 2A
1
66
S
S
S
G
6
7
8
SO-8
1
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDS6612A
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
30
±20
8.4
40
2.5
1.2
1
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
FDS6612A Rev.C1
©1998仙童半导体公司