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    FDS6612A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6612A图片预览
    型号： FDS6612A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 8 页 / 248 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第8页  
    典型电气特性
    30
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    归一化
    V
    GS
    = 10V
    6.0V
    4.5V
    4.0V
    25
    3.5V
    20
    15
    2.5
    V
    GS
    = 3.0V
    2
    3.5V
    1.5
    4.0V
    4.5V
    6.0V
    3.0V
    10
    5
    1
    10V
    2.5V
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    0.5
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    戴恩电流和栅极电压。
    1.8
    漏源导通电阻
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    -50
    0.1
    V
    GS
    = 10 V
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    I
    D
    = 8.4 A
    I
    D
    = 4 A
    0.075
    R
    DS （ ON）
    归一化
    0.05
    T
    A
    = 125°C
    0.025
    T
    A
    = 25°C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化
    温度。
    同
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    30
    30
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = 5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    1
    2
    T
    A
    = -55°C
    25°C
    125°C
    V
    GS
    = 0V
    5
    1
    TA = 125°C
    0.1
    25°C
    0.01
    -55°C
    0.001
    3
    4
    5
    0.0001
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度。
    FDS6612A Rev.C1

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