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    FDS4435 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4435图片预览
    型号： FDS4435
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET [P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 171 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS4435A
    典型特征
    
    - I
    D
    ，漏源电流（A ）
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    
    V
    GS
    = -10V
    -6.0V
    -4.5V
    -4.0V
    -3.5V
    2.4
    2.2
    2
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    GS
    = -3.5V
    -4.0V
    -4.5V
    -5.0V
    -6.0V
    -7.0V
    -8.0V
    -10V
    
    
    -3.0V
    
    -2.5V
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图1.区域特征
    图2.导通电阻变化
    与漏极电流和栅极电压
    0.07
    1.6
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    归一化的导通电阻
    V
    GS
    = -10V
    I
    D
    = -9A
    I
    D
    = -4.5A
    0.06
    0.05
    0.04
    0.03
    0.02
    0.01
    0
    1.4
    1.2
    1
    T
    J
    = 125 C
    O
    0.8
    T
    J
    = 25 C
    O
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    2
    4
    6
    8
    10
    T
    J
    ，结温（
    O
    C)
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化
    随温度
    40
    图4.导通电阻变化
    同门至源极电压
    100
    V
    DS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    30
    T
    J
    = -55 C
    O
    25 C
    125 C
    O
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    O
    V
    GS
    = 0V
    10
    1
    0.1
    -55
    o
    C
    0.01
    0.001
    0.0001
    T
    A
    = 125
    o
    C
    25
    o
    C
    20
    10
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性
    图6.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度
    FDS4435A启示录
    D

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