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FDS4435 参数 Datasheet PDF下载

FDS4435图片预览
型号: FDS4435
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内容描述: P沟道逻辑电平的PowerTrench ? MOSFET [P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 171 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS4435A
2001年10月
FDS4435A
P沟道逻辑电平的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET采用生产
飞兆半导体?先进的PowerTrench工艺
已特别是针对减少导通状态
性,但维持优于低栅极电荷
开关性能。
这些器件非常适用于笔记本电脑的应用程序
阳离子:负载开关和电源管理,电池
充电电路和DC / DC转换。
特点
•
•
•
•
-9 , -30 V. ř
DS ( ON)
= 0.017
W
@ V
GS
= -10 V
R
DS ( ON)
= 0.025
W
@ V
GS
= -4.5 V
低栅极电荷( 21nC典型值) 。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
-30
±
20
(注1A )
单位
V
V
A
W
-9
-50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4435A
设备
FDS4435A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
ã2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4435A启示录
D