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    FDS4435 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4435图片预览
    型号： FDS4435
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET [P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 171 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS4435的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS4435A
    电气特性
    符号
    开关特性
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    ∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流，正向
    门体漏电流，反向
    （注2 ）
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = -250
    µA
    I
    D
    = -250
    μA ，引用
    至25℃
    V
    DS
    = -24 V, V
    GS
    = 0
    T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -20 V, V
    DS
    = 0 V
    民
    -30
    典型值
    最大
    单位
    V
    -26
    -1
    -10
    100
    -100
    毫伏/°C的
    µA
    nA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源导通电阻
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250
    µA
    I
    D
    = -250
    μA ，引用
    至25℃
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = -9 A
    T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = -7 A
    -1
    -1.7
    4.2
    0.015
    0.021
    0.023
    -2
    V
    毫伏/°C的
    0.017
    0.030
    0.025
    Ω
    I
    D（上）
    g
    FS
    通态漏电流
    正向跨导
    V
    GS
    = -10 V, V
    DS
    = -5 V
    V
    DS
    = -10 V，I
    D
    = -9 A
    -40
    25
    A
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    （注2 ）
    V
    DS
    = -15 V, V
    GS
    = 0 V
    F = 1.0 MHz的
    2010
    590
    260
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DD
    = -15 V，I
    D
    = -1 A
    V
    GS
    = -10 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    12
    15
    100
    55
    22
    27
    140
    80
    30
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = -15 V，I
    D
    = -9 A
    V
    GS
    = -5 V,
    21
    6
    8
    漏源二极管的特性和最大额定值
    I
    S
    V
    SD
    t
    rr
    最大连续漏源二极管的正向电流
    漏源二极管的正向电压
    源漏反向恢复时间
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = -2.1 A
    （注2 ）
    -2.1
    0.75
    36
    -1.2
    80
    A
    V
    ns
    I
    F
    = -10 A， DL
    F
    / DT = 100 A / μs的
    注意事项：
    1:
    R
    qJA
    是的总和结点到外壳和外壳至环境性，其中热的情况下引用定义为焊接安装面
    漏针。 ř
    QJC
    由设计而ř
    QCA
    是通过用户的电路板的设计来确定。
    一） 50℃ / W的时
    装在一个1在
    2
    垫的2盎司铜。
    B） 105 ° C / W时，
    安装在一个0.04
    2
    垫的2盎司铜。
    C）安装时， 125 ° C / W
    上的最小垫。
    在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
    2:
    脉冲测试：脉冲宽度
    £
    300
    女士，
    占空比
    £
    2.0%
    FDS4435A启示录
    D

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