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FDN358P 参数 Datasheet PDF下载

FDN358P图片预览
型号: FDN358P
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内容描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 4 页 / 88 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
10
-V
GS
,栅源电压(V )
700
I
D
= -1.5A
8
V
DS
= -5V
-15V
-10V
电容(pF)
400
西塞
200
6
科斯
100
4
50
2
20
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0
2
4
Q
g
,栅极电荷( NC)
6
8
0.2
0.5
1
2
5
10
C
RSS
0
30
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
10
5
-I
D
,漏电流( A)
2
1
0.5
IT
LIM
N)
(O
S
RD
50
1m
s
10m
s
40
功率(W)的
10
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
0m
s
30
0.1
0.05
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
1
2
5
DC
1s
10s
20
10
0.01
0.1
10
30
50
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100 300
- V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 250 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
FDN358P Rev.D