FDN358P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN358P
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内容描述：	P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 88 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1998年3月

FDN358P

P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

SuperSOT

-3 P沟道逻辑电平增强模式

功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这很

高密度工艺特别是针对减少

通态电阻。这些装置特别适用于

在笔记本电脑中的低电压应用中，便携式

手机，PCMCIA卡，和其它电池供电的电路

其中，快速开关，和低线的功率损耗，需要

在一个非常小外形表面贴装封装。

特点

-1.5 A， -30 V ，R

DS （ ON）

= 0.125

Ω

@ V

= -10 V

DS （ ON）

= 0.20

Ω

@ V

= - 4.5 V.

业内SOT -23封装的高功率版：相同

销出去的SOT-23 ;高30％的功率处理能力。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

SuperSOT -3

SuperSOT

-6

SuperSOT -8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

SuperSOT -3

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

= 25

C除非其他明智的注意

FDN358P

-30

±20

-1.5

-5

（注1A ）

（注1B ）

单位

漏/输出电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

0.5

0.46

-55到150

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

FDN358P Rev.D

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