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    FDN358P 参数 Datasheet PDF下载

    FDN358P图片预览
    型号： FDN358P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 4 页 / 88 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDN358P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDN358P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDN358P的Datasheet PDF文件第4页  
    典型电气特性
    10
    2.5
    -I
    D
    ，漏源电流（A ）
    V
    GS
    = -10V -6.0
    8
    -5.0
    R
    DS （ ON）
    归一化
    -4.5
    -4.0
    漏源导通电阻
    2
    V
    GS
    = -4.0V
    -4.5
    6
    4
    -3.5
    1.5
    -5.0
    -6.0
    -7.0
    -8.0
    -10
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    2
    -3.0
    1
    0
    0
    1
    -V
    DS
    2
    3
    4
    5
    ，漏源电压（V ）
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和门
    1.6
    0.5
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    漏源导通电阻
    1.4
    I
    D
    = -1.5A
    V
    GS
    = -10V
    I
    D
    = 0.75A
    0.4
    R
    DS （ ON）
    归一化
    1.2
    0.3
    1
    0.2
    T
    A
    = 125°C
    0.8
    0.1
    T
    A
    = 25°C
    0.6
    -50
    0
    -25
    0
    J
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    2
    4
    6
    8
    10
    T，结温（ ° C）
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化
    与温度。
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    V
    DS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    8
    T = -55°C
    A
    25°C
    125°C
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    10
    10
    V
    GS
    = 0V
    T = 125°C
    J
    25°C
    -55°C
    1
    6
    0.1
    4
    0.01
    2
    0.001
    0
    1
    2
    -V
    GS
    3
    4
    5
    6
    0.0001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    ，门源电压（ V）
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度。
    FDN358P Rev.D

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