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FDN357N_NL 参数 Datasheet PDF下载

FDN357N_NL图片预览
型号: FDN357N_NL
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内容描述: [Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 4 页 / 87 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型的电气和热特性
10
V
GS
,栅源电压(V )
600
I
D
= 1.9A
8
电容(pF)
V
DS
= 5V
10V
15V
300
200
C
国际空间站
科斯
6
100
4
50
2
20
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
10
C
RSS
0
30
0
2
4
Q
g
,栅极电荷( NC)
6
8
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
20
10
I
D
,漏电流( A)
5
N)
(O
DS
R
IT
LIM
50
1m
s
10m
40
s
功率(W)的
30
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
1
0.5
100
1s
10s
ms
20
0.1
0.05
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
1
2
DC
10
0.01
0.1
0
0.0001
5
10
20
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100 300
单脉冲时间(秒)
V
DS
,漏源电压(V )
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 250 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
注意:在使用中注意事项1a中所述的条件热特性进行。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDN357N Rev.C