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FDN357N_NL 参数 Datasheet PDF下载

FDN357N_NL图片预览
型号: FDN357N_NL
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内容描述: [Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 4 页 / 87 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
10
I
D
,漏源电流(A )
1.8
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V
GS
= 10V
6.0
5.0
4.5
R
DS ( ON)
归一化
8
4.0
V
GS
=3.5V
6
4.0
4.5
5.0
6.0
7.0
10
3.5
4
2
3.0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压(V )
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和门
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
1.6
漏源导通电阻
0.25
I
D
= 1.9A
1.4
I
D
=0.95A
0.2
V
GS
= 4.5V
R
DS ( ON)
归一化
1.2
0.15
1
0.1
T = 125°C
A
中T = 25℃
A
0.8
0.05
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T,结温( ° C)
J
125
150
0
2
4
6
8
10
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
14
12
I
D
,漏电流( A)
10
8
6
4
2
0
25°C
125°C
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 10V
T
A
= -55°C
10
V
GS
= 0V
1
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
0.001
1
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
,门源电压( V)
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDN357N Rev.C