电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注）
30
36
1
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
µA
µA
nA
nA
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V,V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
I
D
= 250 μA ，参考25℃
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.9 A
T
J
=125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
o
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
1
1.6
-3.6
0.081
0.11
0.053
2
V
毫伏/
o
C
∆
V
GS （ TH）
/
∆
T
J
R
DS （ ON）
0.09
0.14
0.06
Ω
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意：
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 1.9 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
5
5
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注）
235
145
50
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
5
12
12
3
10
22
22
8
5.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.9 A,
V
GS
= 5 V
4.2
1.3
1.7
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.42 A
（注）
0.42
0.71
1.2
A
V
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。 ř
θ
JC
被担保
设计，同时ř
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
典型ř
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 250
o
安装时C / W
在0.02
2
垫2盎司铜。
b. 270
o
安装时C / W
在0.001
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDN357N Rev.C
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
