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FDN335N 参数 Datasheet PDF下载

FDN335N图片预览
型号: FDN335N
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内容描述: N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 211 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN335N
典型特征
10
V
GS
= 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2.2
2
1.8
1.6
2.5V
1.4
3.0V
1.2
1
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源极电压( V)
I
D
,漏电流( A)
3.5V
4.0V
4.5V
V
GS
= 2.0V
I
D
,漏电流( A)
8
6
2.0V
4
2
1.5V
0
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
0.24
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 1.7A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.85A
0.2
1.4
0.16
0.12
T
A
= 125
o
C
0.08
0.04
0
T
A
= 25
o
C
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温(
o
C)
1
2
3
4
5
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
10
125
o
C
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
I
D
,漏电流( A)
8
T
A
= -55
o
C
25
o
C
10
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125
o
C
0.1
25
o
C
0.01
-55
o
C
6
4
2
0.001
0
0
1
2
3
4
V
GS
,门源电压( V)
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDN335N版本C