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型号: FDN335N
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内容描述: N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 211 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN335N
1999年4月
FDN335N
N沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET产生
利用飞兆半导体先进的PowerTrench
已特别是针对减少的过程中
通态电阻,但保持为低栅极电荷
出色的开关性能。
特点
1.7 A, 20 V ř
DS ( ON)
= 0.07
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.100
@ V
GS
= 2.5 V.
低栅极电荷( 3.5nC典型值) 。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
D
D
S
SuperSOT -3
TM
G
T
A
= 25 ° C除非另有说明
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
20
(注1A )
单位
V
V
A
W
°
C
±
8
1.7
8
0.5
0.46
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
250
75
°
C / W
°
C / W
包装纲要和订货信息
器件标识
335
©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDN335N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
FDN335N版本C