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FDN335N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDN335N
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内容描述: N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 211 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN335N
电气特性
符号
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,
前锋
门体漏电流,
反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µ
A
I
D
= 250
µ
A,参考25
°
C
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
最小值典型值
20
14
最大
单位
V
毫伏/
°
C
开关特性
1
100
-100
µ
A
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
µ
A
I
D
= 250
µ
A,参考25
°
C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.7 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.7 A,T
J
= 125
°
C
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 1.5 A
0.4
0.9
-3
0.055
0.079
0.078
1.5
V
毫伏/
°
C
0.070
0.120
0.100
I
D(上)
g
FS
8
7
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
310
80
40
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 6
5
8.5
11
3
15
17
20
10
5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,I
D
= 1.7 A,
V
GS
= 4.5 V,
3.5
0.55
0.95
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,I
S
= 0.42 A
(注2 )
0.42
0.7
1.2
A
V
注意事项:
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为焊接安装
的漏极引脚表面。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A) 250 ° C / W时,
安装在一个0.02
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2:
脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
二)安装时, 270℃ / W的
上的最小垫。
FDN335N版本C