FDH50N50_F133 / FDA50N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.0
R
DS （ ON）
（归一化）
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 24 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
10
3
图10.最大漏极电流
与外壳温度
50
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
40
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
1
I
D
，漏电流[ A]
3
10
2
10我们
100美
10毫秒
30
DC
20
10
0
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.典型的漏电流斜率
与栅极电阻
4,000
3,500
3,000
2,500
注意事项：
1. V
DS
= 400 V
2. V
GS
= 12 V
3. I
D
= 25A
4. T
J
= 125 C
o
图12.典型的漏源电压
斜率与栅极电阻
45
40
35
30
注意事项：
1. V
DS
= 400 V
2. V
GS
= 12 V
3. I
D
= 25A
4. T
J
= 125 C
o
di / dt的[ A /
μ
S]
dv / dt的[V / NS ]
的di / dt （上）
2,000
1,500
1,000
500
0
25
20
15
10
5
0
DV / DT （上）
DV / DT （关闭）
的di / dt （关）
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
G
，栅极电阻[
Ω
]
R
G
，栅极电阻[
Ω
]
FDH50N50_F133 / FDA50N50版本A
4
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FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
