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型号: FDA50N50
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内容描述: 500V N沟道MOSFET [500V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 511 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDH50N50_F133 / FDA50N50 500V N沟道MOSFET
FDH50N50_F133 / FDA50N50
500V N沟道MOSFET
特点
• 48A , 500V ,R
DS ( ON)
= 0.105Ω @V
GS
= 10 V
•低栅极电荷(典型值105 NC)
•低C
RSS
(典型45 pF的)
•快速开关
• 100 %雪崩测试
•改进dv / dt能力
的UniFET
2008年10月
TM
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的,平面条形制作,
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻,优越的开关perfor-
曼斯,并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
克ð
S
TO-247
FDH系列
TO-3P
g DS的
FDA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
参数
- 连续(T
C
= 25°C)
- 连续(T
C
= 100°C)
- 脉冲
(注1 )
FDH50N50_F133/FDA50N50
500
48
30.8
192
±20
1868
48
62.5
4.5
625
5
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到环境
分钟。
--
0.24
--
马克斯。
0.2
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
© 2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDH50N50_F133 / FDA50N50版本A