FDH50N50_F133 / FDA50N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
100
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10
150 C
25 C
-55 C
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
o
o
10
0
1
注意事项：
1. 250
μ
s脉冲测试
o
2. T
C
= 25 C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
0.1
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.4
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
160
I
DR
，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
0.3
120
R
DS （ ON）
[
Ω
],
V
GS
= 10V
0.2
80
0.1
V
GS
= 20V
150 C
40
25 C
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
o
注：t
J
= 25 C
o
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
12,000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
V
GS
，栅源电压[V]
10,000
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
8,000
8
6,000
C
国际空间站
C
OSS
6
4,000
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2,000
2
注：我
D
= 48A
C
RSS
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FDH50N50_F133 / FDA50N50版本A
3
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FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
