FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
µ
A
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
o
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 11 A
150
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.5 A
200
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
T
J
,
0
结温[C]
50
100
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
o
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
10
2
10
µ
s
20
I
D
，漏电流[ A]
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
DC 100毫秒
I
D
，漏电流[ A]
10
3
100
µ
s
15
10
10
0
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
5
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
* N释：
t
2
o
θ
JC
10
-2
1 . Z
θ
JC
（吨）= 0 0.4 4 ℃/女男一个X 。
2 。 ð ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
( t)
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W¯¯ AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
4
FDA20N50 / FDA20N50_F109牧师B1
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