FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
图2.传输特性
2
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
150 C
1
o
10
25 C
o
-55 C
o
10
0
*注意：
1. 250
µ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
DS
= 40V
2. 250
µ
s脉冲测试
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.8
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
0.6
V
GS
= 10V
0.4
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
150 C
o
25 C
o
V
GS
= 20V
0.2
*注：t
J
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
µ
s脉冲测试
0
0.0
0
15
30
45
60
75
90
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
6000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
5000
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
C
OSS
电容[ pF的]
4000
8
C
国际空间站
3000
6
2000
*注意：
1. V
GS
= 0 V
4
1000
C
RSS
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 20A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FDA20N50 / FDA20N50_F109牧师B1
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