FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N沟道MOSFET
2007年7月
FDA20N50
/ FDA20N50_F109
500V N沟道MOSFET
特点
• 22A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.23Ω @V
GS
= 10 V
•低栅极电荷（典型值45.6 NC）
•低C
RSS
（典型27 pF的）
•快速开关
• 100 ％雪崩测试
•改进dv / dt能力
的UniFET
描述
TM
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
TO-3P
g DS的
FDA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FDA20N50
500
22
13.2
88
±
30
1110
22
28.0
4.5
280
2.3
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
*漏电流受最高结termperature 。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
分钟。
--
0.24
--
马克斯。
0.44
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
©2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDA20N50 / FDA20N50_F109牧师B1
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
