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    FDA20N50F_12 参数 Datasheet PDF下载

    FDA20N50F_12图片预览
    型号： FDA20N50F_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET 500V ， 22A ， 0.26Î © [N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Ω]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 378 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第8页  
    FDA20N50F N沟道MOSFET
    典型性能特性
    （续）
    图7.击穿电压变化
    与温度的关系
    1.2
    BV
    DSS
    ， [归]
    漏源击穿电压
    图8.最大安全工作区
    200
    100
    1.1
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    100
    μ
    s
    30
    μ
    s
    10
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    1ms
    10ms
    DC
    1.0
    1
    0.9
    *注意：
    1. V
    GS
    = 0V
    2. I
    D
    = 250
    μ
    A
    *注意：
    1. T
    C
    = 25 C
    2. T
    J
    = 150 C
    3.单脉冲
    o
    o
    0.8
    -100
    0.1
    -50
    0
    50
    100
    150
    o
    T
    J
    ，结温
    [
    C
    ]
    200
    1
    10
    100
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    1000
    图9.最大漏极电流
    与外壳温度
    25
    20
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    15
    10
    5
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    o
    T
    C
    ，外壳温度
    [
    C
    ]
    150
    图10.瞬态热响应曲线
    1
    热响应
    [
    Z
    θ
    JC
    ]
    0.5
    0.1
    0.2
    0.1
    0.05
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    o
    0.01
    0.02
    0.01
    单脉冲
    *注意：
    1. Z
    θ
    JC
    （ T） = 0.44 ℃/ W（最大值） 。
    2.占空比，D = T
    1
    /t
    2
    3. T
    JM
    - T
    C
    = P
    DM
    * Z
    θ
    JC
    (t)
    1E-3
    -5
    10
    10
    -4
    10
    10
    矩形脉冲持续时间（秒）
    -3
    -2
    10
    -1
    10
    0
    FDA20N50F Rev.C0
    4
    www.fairchildsemi.com

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