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FDA20N50F_12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDA20N50F_12
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内容描述: N沟道MOSFET 500V , 22A , 0.26Î © [N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Ω]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 378 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDA20N50F N沟道MOSFET
FDA20N50F
N沟道MOSFET
500V ,22A, 0.26Ω
特点
• R
DS ( ON)
= 0.22Ω (典型值) @ V
GS
= 10V ,我
D
= 11A
•低栅极电荷(典型值50NC )
•低C
RSS
(典型值27pF )
•快速开关
• 100 %雪崩测试
•改进dv / dt能力
•符合RoHS
的UniFET
TM
tm
2012年1月
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,平面出品
条纹, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
g DS的
TO-3PN
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
o
参数
评级
500
±30
25
o
C)
o
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
- 连续(T
C
=
- 脉冲
22
13
(注1 )
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
88
1110
22
39
20
388
3.1
-55到+150
300
- 连续(T
C
= 100 C)
- 减免上述25℃
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
C
C
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,案件水槽
热阻,结到环境
分钟。
-
0.24
-
马克斯。
0.44
-
40
o
单位
C / W
© 2012仙童半导体公司
FDA20N50F Rev.C0
1
www.fairchildsemi.com