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    FDA20N50F_12 参数 Datasheet PDF下载

    FDA20N50F_12图片预览
    型号： FDA20N50F_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET 500V ， 22A ， 0.26Î © [N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Ω]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 378 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDA20N50F_12的Datasheet PDF文件第8页  
    FDA20N50F N沟道MOSFET
    包装标志和订购信息
    器件标识
    FDA20N50F
    设备
    FDA20N50F
    包
    TO-3PN
    带尺寸
    -
    胶带宽度
    -
    QUANTITY
    30
    电气特性
    T
    C
    = 25
    o
    C除非另有说明
    符号
    参数
    测试条件
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    开关特性
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /
    ΔT
    J
    I
    DSS
    I
    GSS
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门到身体漏电流
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 25
    o
    C
    I
    D
    = 250μA ，参考25
    o
    C
    V
    DS
    = 500V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = ±30V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 400V ，T
    C
    = 125 C
    o
    500
    -
    -
    -
    -
    -
    0.6
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    100
    ±100
    V
    V/
    o
    C
    μA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    栅极阈值电压
    静态漏极至源极导通电阻
    正向跨导
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 250μA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 11A
    V
    DS
    = 40V ，我
    D
    = 11A
    （注4 ）
    3.0
    -
    -
    -
    0.22
    24
    5.0
    0.26
    -
    V
    Ω
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    Q
    G（ TOT ）
    Q
    gs
    Q
    gd
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    总栅极电荷，在10V
    门源栅极电荷
    栅漏“米勒”充电
    V
    DS
    = 400V ，我
    D
    = 20A
    V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    -
    -
    -
    -
    -
    （注4,5）
    2550
    350
    27
    50
    14
    20
    3390
    465
    40
    65
    -
    -
    pF
    pF
    pF
    nC
    nC
    nC
    -
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    V
    DD
    = 250V ，我
    D
    = 20A
    R
    G
    = 25Ω
    （注4,5）
    -
    -
    -
    -
    45
    120
    100
    60
    100
    250
    210
    130
    ns
    ns
    ns
    ns
    漏源二极管的特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    最大连续漏极至源极二极管的正向电流
    最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
    漏极至源极二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 22A
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 20A
    dI
    F
    / DT = 100A / μs的
    （注4 ）
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    154
    0.5
    22
    88
    1.5
    -
    -
    A
    A
    V
    ns
    μC
    注意事项：
    1 ：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
    2： L = 5mH ，我
    AS
    = 20A ，V
    DD
    = 50V ，R
    G
    = 25Ω ，起始物为
    J
    = 25°C
    3: I
    SD
    ≤
    图22A ， di / dt的
    ≤
    200A / μs的，V
    DD
    ≤
    BV
    DSS
    ，起始物为
    J
    = 25°C
    4 ：脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤
    2%
    5 ：基本上是独立的工作温度典型特征
    FDA20N50F Rev.C0
    2
    www.fairchildsemi.com

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