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    BSS84 参数 Datasheet PDF下载

    BSS84图片预览
    型号： BSS84
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 140 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS84的Datasheet PDF文件第5页  
    BSS84
    典型特征
    1
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    0.8
    -4.5V
    2
    -3.5V
    1.8
    V
    GS
    =-3.0V
    1.6
    1.4
    -3.5V
    1.2
    1
    0.8
    -4.0V
    -4.5V
    -5.0V
    0.6
    -3.0V
    0.4
    0.2
    -2.5V
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    5
    1.8
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    I
    D
    = -0.10A
    V
    GS
    = -5V
    I
    D
    = -0.05A
    4
    3
    T
    A
    = 125
    o
    C
    2
    T
    A
    = 25
    o
    C
    1
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    4.5
    5
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    125
    150
    T
    J
    ，结温（ C）
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    1
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    1
    T
    A
    = -55
    o
    C
    125
    o
    C
    25
    o
    C
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    0.8
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = -5V
    V
    GS
    = 0V
    0.1
    T
    A
    = 125
    o
    C
    25
    o
    C
    -55
    o
    C
    0.001
    0.6
    0.01
    0.4
    0.2
    0
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    0.0001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    BSS84版本B （ W）

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