BSS84 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS84
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 140 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

BSS84

2002年7月

BSS84

P沟道增强型场效应晶体管

概述

这些P沟道增强型场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这种非常高

密度方法已被设计为最小化导通

态电阻，提供坚固可靠

性能和快速切换。它们都可以使用，以

最小的努力，在大多数应用中需要高达

0.13A DC和可提供电流高达0.52A 。

此产品特别适合于低电压

应用程序需要低电流高侧开关。

特点

•

-0.13A ， -50V 。

DS （ ON）

= 10Ω @ V

−5

电压控制的P沟道小信号开关

高密度电池设计低R

DS （ ON）

高饱和电流

•

SOT-23

=25

C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

减免上述25℃

参数

评级

−50

±20

（注1 ）

单位

毫瓦/°C的

°C

−0.13

−0.52

0.36

2.9

−55

+150

300

（注1 ）

工作和存储结温范围

最大无铅焊接温度的

目的， 1/16“从案例10秒

热特性

θJA

热阻，结到环境

（注1 ）

350

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

设备

BSS84

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

2002

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

BSS84版本B （ W）

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