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BSS84 参数 Datasheet PDF下载

BSS84图片预览
型号: BSS84
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 140 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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BSS84
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏。
(注2 )
测试条件
I
D
= –250
µA
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
μA ,引用
至25℃
V
DS
= –50 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
最小值典型值
–50
–48
最大
单位
V
毫伏/°C的
开关特性
–15
–60
±10
µA
µA
nA
V
DS
= –50 V,V
GS
= 0 V T,
J
= 125°C
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= -1毫安
–0.8
I
D
= -1毫安,引用至25℃
V
GS
= –5 V,
I
D
= –0.10 A
V
GS
= -5 V,I
D
= -0.10 A,T
J
=125°C
V
GS
= –5 V,
V
DS
= – 10 V
V
DS
= –25V,
I
D
= – 0.10 A
–1.7
3
1.2
1.9
–2
V
毫伏/°C的
10
17
A
–0.6
0.05
0.6
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= –25 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
73
10
5
9
pF
pF
pF
V
GS
= -15 mV时, F = 1.0 MHz的
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –30 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= – 0.27A,
R
= 6
2.5
6.3
10
4.8
5
13
20
9.6
1.3
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –25 V,
V
GS
= –5 V
I
D
= –0.10 A,
0.9
0.2
0.3
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= –0.26 A
(注2 )
–0.8
10
(注2 )
–0.13
–1.2
A
V
nS
nC
I
F
= –0.10A
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
3
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个),安装在一个时350℃ / W的
最小焊盘..
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
BSS84版本B ( W)