BS170 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BS170
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 78 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性

（续）

BS170 / MMBF170

1.1

漏源击穿电压

= 100µA

1.075

1.05

1.025

0.975

0.95

0.925

-50

，反向漏电流（ A）

0.5

= 0V

归一化

TJ = 125°C

0.1

0.05

25°C

-55°C

DSS

0.01

0.005

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

，体二极管正向电压（ V）

图7.击穿电压变化

随温度

图8.体二极管正向电压的变化与

电流和温度。

，栅源电压（V ）

ç国际空间站

电容（pF）

= 5 0 0为m的

= 25V

ç OSS

ç RSS

F = 1 MHz的

= 0V

，漏源极电压（ V）

0.4

0.8

1.2

1.6

，栅极电荷（ NC）

图9.电容特性

图10.栅极电荷特性

D（上）

90%

关闭

D（关闭）

90%

OUT

DUT

输出时，VOUT

10%

90%

根

倒

输入，输入电压

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

BS170版本C / MMBF170 Rev. D的

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