BS170 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BS170
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 78 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1995年4月

BS170 / MMBF170

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

这些

n沟道增强型场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产

细胞密度， DMOS技术。这些产品已

旨在最大限度地减少通态电阻，同时提供

坚固耐用，可靠，快速的开关性能。他们可以

在需要高达500mA的直流大多数应用中使用。

这些产品特别适用于低电压，低

当前的应用程序，如小的伺服电机控制，

功率MOSFET栅极驱动器，以及其它开关

应用程序。

特点

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关。

坚固可靠。

高饱和电流能力。

____________

___________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

参数

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

BS170

± 20

500

1200

830

6.6

-55到150

300

MMBF170

单位

漏，栅极电压（R

< 1米

Ω

)

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 16"分之1案件从10秒

500

800

300

2.4

毫瓦/°C的

°C

热特性

热Resistacne ，结到环境

150

417

° C / W

BS170版本C / MMBF170 Rev. D的

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