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    BS170 参数 Datasheet PDF下载

    BS170图片预览
    型号： BS170
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    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 78 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS170的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS170的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS170的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS170的Datasheet PDF文件第5页  
    典型电气特性
    BS170 / MMBF170
    2
    3
    V
    GS
    = 10V
    ，漏源电流（A ）
    1.5
    9.0
    8.0
    漏源导通电阻
    V
    GS
    =4.0V
    4.5
    5.0
    6 .0
    7.0
    6.0
    1
    R
    DS （ ON）
    归一化
    2.5
    2
    7.0
    1.5
    5.0
    0.5
    8.0
    9.0
    10
    4.0
    3.0
    0
    1
    2
    3
    V DS ，漏源极电压（V ）
    4
    5
    1
    I
    0
    D
    0.5
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    1.6
    2
    图1.区域特征
    .
    图2.导通电阻变化与栅极电压
    和漏极电流。
    2
    3
    V
    的s
    = 10V
    漏源导通电阻
    漏源导通电阻
    1.75
    V
    GS
    = 10V
    2.5
    I
    D
    = 500毫安
    R
    DS （ ON）
    归一化
    R
    DS （ ON）
    归一化
    1.5
    2
    TJ = 125°C
    1.25
    1.5
    25°C
    1
    1
    -55°C
    0.5
    0.75
    0.5
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T，结温（ ° C）
    J
    125
    150
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    1.6
    2
    图3.导通电阻变化
    随温度
    .
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度。
    2
    门源阈值电压
    1.1
    V
    DS
    = 10V
    1.6
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    T J = -55°C
    25°C
    125°C
    V
    th
    归一化
    1.05
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 1毫安
    1
    1.2
    0.95
    0.8
    0.9
    0.4
    0.85
    0
    0
    2
    V
    GS
    4
    6
    8
    ，门源电压（ V）
    10
    0.8
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    图5.传输特性。
    图6.门阈值变化与
    温度
    .
    BS170版本C / MMBF170 Rev. D的

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