高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4 ， 4N38
传输特性
DC特性
辐射源
电流传输比
集电极到发射极
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(R
BE
= 1 M" ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 0.5 mA）的
*饱和电压
(R
BE
= 1 M" ）
(I
F
= 20 mA时，我
C
= 4 mA）的
V
CE （SAT）
CTR
测试条件
符号
设备
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
4N38
H11D1/2/3/4
4N38
1 (10)
2 (20)
0.1
0.40
1.0
V
2 (20)
MA（ ％ ）
民
典型**
最大
单位
传输特性
特征
开关时间
非饱和导通时间
打开-O FF时间
测试条件
(V
CE
= 10 V，I
CE
= 2 mA）的
(R
L
= 100
" ）
符号
t
on
t
关闭
设备
所有
所有
民
典型**
5
5
最大
单位
µs
隔离特性
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
(I
我-O
#$1
微安， 1分钟）
(V
我-O
= 500 VDC）
中（f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
所有
所有
所有
民
5300
7500
10
11
0.5
典型**
最大
单位
(V
AC
RMS ）
(V
AC
峰）
＆ QUOT ;
pF
笔记
*参数达到或超过JEDEC注册数据（ 4N38只）
**在T所有典型值
A
= 25°C
图1 LED正向电压与正向电流
1.8
1.7
图2归一化输出特性
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
Ω
T
A
= 25˚C
I
F
= 50毫安
1
I
F
= 10毫安
V
F
- 正向电压（ V）
10
1.6
1.5
1.4
1.3
T
A
= 25˚C
1.2
1.1
1.0
1
T
A
= 100˚C
10
100
T
A
= 55˚C
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED FORWARDCURRENT （MA ）
V
CE
- 集电极电压（ V）
8/9/00
200046A
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
