高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4 ， 4N38
绝对最大额定值
（续）
参数
探测器
*功率耗散@ T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
H11D1 - H11D2
*集电极到发射极电压
H11D3 - H11D4
4N38
H11D1 - H11D2
*集电极 - 基极电压
H11D3 - H11D4
4N38
*发射极到集电极电压
集电极电流（连续）
H11D1 - H11D2
H11D3 - H11D4
V
ECO
V
CBO
V
CER
P
D
符号
价值
300
4.0
300
200
80
300
200
80
7
100
mA
V
单位
mW
毫瓦/°C的
电气特性
特征
辐射源
*正向电压
正向电压温度。
系数
反向击穿电压
结电容
*反向漏电流
探测器
*击穿电压
集电极到发射极
*集电极基
发射器基
发射极到集电极
*漏电流
集电极到发射极
(R
BE
= 1 M" ）
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
测试条件
(I
F
= 10 mA）的
符号
V
F
!V
F
!T
A
BV
R
C
J
I
R
BV
CER
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
H11D1/2
H11D3/4
4N38
H11D1/2
H11D3/4
4N38
4N38
所有
H11D1/2
I
CER
H11D3/4
I
首席执行官
4N38
6
民
典型**
1.15
-1.8
25
50
65
0.05
最大
1.5
单位
V
毫伏/°C的
V
pF
pF
µA
(I
R
= 10 µA)
(V
F
= 0 V ， F = 1兆赫）
(V
F
= 1 V ， F = 1兆赫）
(V
R
= 6 V)
(R
BE
= 1 M" ）
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
（没有R
BE
) (I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 100 ¼A ，我
F
= 0)
10
(I
E
= 100 μA ，我
F
= 0)
(V
CE
= 200 V，I
F
= 0, T
A
= 25°C)
(V
CE
= 200 V，I
F
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CE
= 100 V，I
F
= 0, T
A
= 25°C)
(V
CE
= 100 V，I
F
= 0, T
A
= 100°C)
（没有R
BE
) (V
CE
= 60 V，I
F
= 0, T
A
= 25°C)
300
200
80
300
200
80
7
7
V
10
100
250
100
250
50
nA
µA
nA
µA
nA
笔记
*参数达到或超过JEDEC注册数据（ 4N38只）
**在T所有典型值
A
= 25°C
8/9/00
200046A
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
