Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DDB2U30N08VR
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
5,0
5,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
3,2
3,2
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min. typ. max.
20
Modulinduktivität
stray inductance module
LÙ†Š
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
R††óôŠŠó
Rƒƒóô††ó
4,00
3,00
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
N
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
-40
-40
30
125
125
50
Lagertemperatur
storage temperature
TÙÚÃ
F
Anpreßkraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
weight
G
10
g
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2004-8-27
revision: 2.1
4