Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DDB2U30N08VR
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒç¢»¢
I碻¢
IŒ»¢
800
48
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.
T† = 80°C
forward current RMS maximum per diode
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
T† = 80°C
50
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
480
380
A
A
Grenzlastintegral
I²t - value
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
1150
720
A²s
A²s
I²t
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlassspannung
TÝÎ = 150°C, IŒ = 48 A
forward voltage
min. typ. max.
1,10
VŒ
VÅ¥
rÅ
V
V
Schleusenspannung
TÝÎ = 150°C
0,75
6,95
0,10
threshold voltage
Ersatzwiderstand
TÝÎ = 150°C
mÂ
mA
slope resistance
Sperrstrom
TÝÎ = 150°C, Vç = 800 V
reverse current
Iç
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,15 1,30 K/W
0,55 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2004-8-27
revision: 2.1
1
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
