Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP60
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
RthJC
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
Trans. Bremse/ Trans. Brake
Diode Bremse/ Diode Brake
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
0,5
0,8
1
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
-
-
-
-
2,3
-
λPaste=1W/m*K
λgrease=1W/m*K
RthCK
Übergangs-Wärmewiderstand
0,08
0,04
0,08
-
thermal resistance, case to heatsink
-
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
Top
Tstg
-
-
-
-
150
125
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
-40
-40
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
225
CTI
comperative tracking index
M
G
3
Nm
g
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
±10%
Gewicht
weight
180
4(11)
DB-PIM-9.xls
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
