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EM6A9160TSA-4G 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9160TSA-4G图片预览
型号: EM6A9160TSA-4G
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内容描述: 8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 438 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
引脚说明
表2. EM6A9160的引脚的详细信息
符号
CK ,
CK
TYPE
输入
描述
EM6A9160TSA
差分时钟:
CK和
CK
是差分时钟输入。所有的地址和控制输入
信号进行采样的CK的上升沿和下降沿的交叉
CK
.
输入和输出数据被引用到CK的交叉和
CK
(两者的方向
道口)
时钟使能:
CKE激活( HIGH)和停用( LOW )的CK信号。如果CKE变
低同步时钟,内部时钟从下一个时钟周期暂停
和输出和猝发地址的状态,只要将所述CKE保持低冻结。
当所有银行都处于空闲状态,停用时钟控制进入电源
下来,自刷新模式。
银行激活:
BA0和BA1定义到银行BankActivate ,读,写,或
BankPrecharge命令被应用。
地址输入:
A0 - A11是在BankActivate指令周期内采样(行地址
A0 - A11)和读/写命令(列地址A0- A8与A10自定义
预充电) 。
片选:
CS
使(采样为低电平)和禁用(采样为高)的命令
解码器。所有的命令都被屏蔽时,
CS
采样为高电平。
CS
提供了使用外部
在与多家银行系统,银行的选择。它被认为是命令的一部分
代码。
行地址选通:
RAS
信号定义一起使用时的操作命令
CAS
WE
信号和被锁存在CK的上升沿。当
RAS
CS
断言"LOW"和
CAS
为有效"HIGH , "要么BankActivate
命令或预充电命令被选中的
WE
信号。当
WE
is
置"HIGH , "的BankActivate命令被选择和存储体指定由BA
被接通到活动状态。当
WE
为有效"LOW , "的预充电
命令被选中,由BA指定的银行后,被切换到空闲状态
预充电操作。
列地址选通:
CAS
信号限定在所述操作指令
与结合
RAS
WE
信号和被锁存在CK的上升沿。
RAS
举行"HIGH"和
CS
被断言"LOW , "的列存取是通过启动
主张
CAS
"LOW."然后,读或写命令被选中断言
WE
"HIGH “或” LOW" 。
写使能:
WE
信号定义结合的操作命令与
RAS
CAS
信号和被锁存在CK的上升沿。该
WE
输入用于
选择BankActivate或预充电命令和读或写命令。
双向数据选通:
指定计时的输入和输出数据。读数据选通
是边沿触发。写数据选通提供了一个建立时间和保持时间的数据和DQM 。
LDQS是DQ0 〜 7 , UDQS是DQ8 〜 15 。
数据输入掩码:
当DM是在写周期采样到高电平的输入数据被屏蔽。
LDM口罩DQ0 - DQ7 , UDM口罩DQ8 - DQ15 。
数据I / O :
的DQ0 - DQ15输入和输出数据与正边缘同步
CK和
CK
。在I / O是字节屏蔽期间,写操作。
电源:
+2.5V
±5%
CKE
输入
BA0 , BA1
A0-A11
输入
输入
CS
输入
RAS
输入
CAS
输入
WE
输入
LDQS ,
UDQS
LDM ,
UDM
DQ0 - DQ15
VDD
输入/
产量
输入
输入/
产量
供应
钰创机密
3
修订版1.1
2009年8月