EtronTech
扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
EM68B16DVAA
在扩展模式寄存器的设计支持部分阵列自刷新和驱动强度。该
EMRS周期不是强制性的，并且EMRS命令需要将仅发出时，无论PASR或DS是
使用。在扩展模式寄存器写的是认定的低
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
和BA0和高
在BA1 （设备应该有所有银行闲置，没有突发的进展之前，写入扩展
模式寄存器，和CKE要高） 。存储在寄存器中的值将被保留，直到寄存器
重新编程，设备进入深度节能模式，或者电源从设备中删除。国家
的地址引线A0〜 A12和BA0 ， BA1 ，在同一周期中
CS
,
RAS
,
CAS
和
WE
断言
低被写入到扩展模式寄存器。两个时钟周期，叔
MRD
，需要完成写
运行在扩展模式寄存器。 A0 〜 A2用于部分阵列自刷新和A5 〜 A6中使用
驾驶强度。自动温度补偿自刷新功能包含在一个
温度传感器嵌入到该设备。 A3 〜 A4不再用来控制功能;任何输入
期间EMRS施加到A3 〜 A4被忽略。所有其他的地址引脚， A7 〜 A12和BA0必须设置为低
正确EMRS操作。参考下面的表中的特定代码。如果用户没有将值写入
在扩展模式寄存器， DS默认为全强度;和PASR默认为全阵列。
表6.扩展模式寄存器的位图
BA1 BA0 A12 A11 A10 A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
1
0
0
0
0
0
DS
0
0
PASR
模式寄存器
A6
0
0
1
1
A5
0
1
0
1
驱动强度
充满力量
1/2强
1/4强
1/8强
A2 A1 A0部分阵列自刷新覆盖
0 0 0
全阵列（所有银行）
0 0 1
全阵列的一半（ BA1 = 0 ）
0 1 0季度全排列（ BA1 = BA0 = 0 ）
0 1 1
版权所有
1 0 0
版权所有
1 0 1
版权所有
1 1 0
版权所有
1 1 1
版权所有
温度补偿自刷新
为了降低功耗，移动DDR SDRAM包括内部温度传感器和
其他电路来控制自刷新操作自动根据两个温度范围：最大。
40℃和最大值。 85°C
表7. IDD6规格和条件
温度范围
马克斯。 40℃
马克斯。 85°C
自刷新电流（I
DD6
)
全阵列
490
700
全阵列的1/2
350
460
全阵列的1/4
280
340
单位
µA
µA
部分阵列自刷新
对于在自刷新进一步节省功耗，在PASR功能允许控制器来选择量
存储器，这将在自刷新刷新。刷新选项是所有的银行（存储体0 ，1，2和3）;
两个存储体（存储体0和1）;一银行（银行0 ） 。读写命令仍然可以影响在任何一家银行
标准的操作，但只对选定的银行将在自刷新刷新。在未选中的数据
银行将丢失。
钰创机密
9
1.0版
2009年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
